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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：130W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 690μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：300 毫歐 @ 6.9A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13.7A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：DTMOSIV
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
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