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TK160F10N1L,LQ

廠家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：
 TO-220SM（W）
數量：
 3735  
說明：
 MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
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TK160F10N1L,LQ-TO-220SM（W）圖片

TK160F10N1L,LQ PDF參數資料

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中文參數如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：375W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：10100 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：122 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.4 毫歐 @ 80A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：160A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：U-MOSVIII-H
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK160F10N1L,LQ的詳細信息，包括TK160F10N1L,LQ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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