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中文參數如下:
功率耗散:45 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220SIS-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):190 mOhms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK18A60V(S4V,Q)的詳細信息,包括TK18A60V(S4V,Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!