中文參數(shù)如下:
工廠包裝數(shù)量:20
上升時間:26 ns
功率耗散:150 W
下降時間:40 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-3P(W)
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.27 Ohms
漏極連續(xù)電流:20 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK20H50C(Q)的詳細信息,包括TK20H50C(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!