TK32A12N1,S4X

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220SIS
數(shù)量：: 3519
說明：: MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS

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TK32A12N1,S4X PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：30W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 60 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：34 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：13.8 毫歐 @ 16A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：32A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：120 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSVIII-H
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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