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TK3A60DA(Q,M)

廠家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：
 TO-220SIS
數(shù)量：
 3372  
說明：
 MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
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TK3A60DA(Q,M)-TO-220SIS圖片

TK3A60DA(Q,M) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：30W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：2.8 歐姆 @ 1.3A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：2.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：π-MOSVII
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK3A60DA(Q,M)的詳細(xì)信息，包括TK3A60DA(Q,M)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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