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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:73 ns
上升時間:20 ns
功率耗散:168 W
柵極電荷 Qg:69 nC
下降時間:23 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5.8 mOhms
漏極連續電流:112 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:120 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba
以上是TK56E12N1,S1X的詳細信息,包括TK56E12N1,S1X廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!