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TK62J60W,S1VQ

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3P-3，SC-65-3
數(shù)量：: 8840
說明：: MOSFET N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC

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TK62J60W,S1VQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：310 ns
上升時間：58 ns
功率耗散：30 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：180 nC
下降時間：15 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.033 Ohms
漏極連續(xù)電流：61.8 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TK62J60W,S1VQ的詳細(xì)信息，包括TK62J60W,S1VQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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