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TN2130K1-G-VAO

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 SOT-23-3
數量:
 8955  
說明:
 MOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-3
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TN2130K1-G-VAO PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TA)
功率耗散(最大值):360mW(Ta)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):50 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):25 歐姆 @ 120mA,4.5V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):85mA(Tj)
漏源電壓(Vdss):300 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Microchip Technology

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