中文參數如下:
工廠包裝數量:3000
上升時間:5 ns
功率耗散:2.2 W
下降時間:9 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:VS-6
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.024 Ohms
漏極連續電流:6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPC6003(TE85L,F,M)的詳細信息,包括TPC6003(TE85L,F,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!