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TPC8A04-H(TE12L,Q)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 SOP-8
數(shù)量:
 1179  
說明:
 MOSFET MOSFET N-ch/SBD 30V 18A
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TPC8A04-H(TE12L,Q) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:4.5 ns
功率耗散:1900 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:4.5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOP-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
漏極連續(xù)電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是TPC8A04-H(TE12L,Q)的詳細信息,包括TPC8A04-H(TE12L,Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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