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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:25 ns
工廠包裝數量:4000
上升時間:90 ns
功率耗散:1.35 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:VS-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.049 Ohms
漏極連續電流:3 A
閘/源擊穿電壓:12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPCF8201(TE85L,F)的詳細信息,包括TPCF8201(TE85L,F)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!