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TPCF8B01(TE85L,F)

廠家：
  Toshiba
封裝：
 VS-8
數(shù)量：
 2700  
說(shuō)明：
 MOSFET PW TR with SBD P-Ch -20V -2.7A
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TPCF8B01(TE85L,F)-VS-8圖片

TPCF8B01(TE85L,F) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：4000
上升時(shí)間：5 ns
功率耗散：1.35 W
下降時(shí)間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：VS-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.11 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.7 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TPCF8B01(TE85L,F)的詳細(xì)信息，包括TPCF8B01(TE85L,F)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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