中文參數如下:
工廠包裝數量:3000
上升時間:14 ns
功率耗散:1680 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:14 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PS
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
漏極連續電流:9.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPCP8002(TE85L,F,M的詳細信息,包括TPCP8002(TE85L,F,M廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!