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TPH8R80ANH,L1Q

廠家：: Toshiba
封裝：: 8-PowerVDFN
數量：: 81
說明：: MOSFET N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC

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TPH8R80ANH,L1Q PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：33 ns
上升時間：7 ns
功率耗散：61 W
柵極電荷 Qg：33 nC
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7.4 mOhms
漏極連續電流：59 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TPH8R80ANH,L1Q的詳細信息，包括TPH8R80ANH,L1Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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