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TRS12E65F,S1Q

廠家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：
 TO-220-2L
數(shù)量：
 423  
說明：
 DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
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TRS12E65F,S1Q-TO-220-2L圖片

TRS12E65F,S1Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-220-2L
封裝/外殼：TO-220-2
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：65pF @ 650V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：90 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 12 A
電流 - 平均整流 (Io)：12A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TRS12E65F,S1Q的詳細(xì)信息，包括TRS12E65F,S1Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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