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TRS3E65F,S1Q

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 TO-220-2L
數(shù)量:
 364  
說明:
 DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2L
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TRS3E65F,S1Q-TO-220-2L圖片

TRS3E65F,S1Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:TO-220-2L
封裝/外殼:TO-220-2
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時電容:12pF @ 650V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:20 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時間 (trr):0 ns
速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.6 V @ 3 A
電流 - 平均整流 (Io):3A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術(shù):SiC(Silicon Carbide)Schottky
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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