TSC966CW RPG

廠家：: Taiwan Semiconductor
封裝：: SOT-223
數(shù)量：: 7634
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor

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TSC966CW RPG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：-
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：1μA
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：400 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：300 mA
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Taiwan Semiconductor Corporation

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