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中文參數如下:
上升時間:32.8 nS
功率耗散:2 W
柵極電荷 Qg:6.5 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :0.7 S
下降時間:23.7 nS
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):4.25 Ohms
漏極連續電流:0.5 A
汲極/源極擊穿電壓:450 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Taiwan Semiconductor
以上是TSM1N45CT B0的詳細信息,包括TSM1N45CT B0廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!