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中文參數如下:
零件號別名:A3
工廠包裝數量:2000
上升時間:10 ns
功率耗散:350 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:10 ns
包裝形式:Ammo
封裝形式:TO-92-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5300 mOhms
漏極連續電流:0.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Taiwan Semiconductor
以上是TSM2N7000CT的詳細信息,包括TSM2N7000CT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!