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中文參數如下:
上升時間:170 ns
功率耗散:8.3 W
柵極電荷 Qg:5 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :2 S
下降時間:200 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):250 mOhms
漏極連續電流:30 uA
汲極/源極擊穿電壓:45 V
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是VNS1NV04PTR-E的詳細信息,包括VNS1NV04PTR-E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!