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中文參數如下:
工廠包裝數量:100
功率耗散:4 W
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :5 S
包裝形式:Tube
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):120 m Ohms
漏極連續電流:3.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:45 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是VNS3NV04D-E的詳細信息,包括VNS3NV04D-E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!