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VQ1000P-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PDIP-14
數量：: 8604
說明：: MOSFET N-CH 60V 0.225A

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VQ1000P-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：25
功率耗散：2000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Bulk
封裝形式：PDIP-14
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Quad
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5.5 Ohms
漏極連續電流：0.225 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是VQ1000P-E3的詳細信息，包括VQ1000P-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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