VS-3C08ET07S2L-M3

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: TO-263AB（D2PAK）
數(shù)量：: 8726
說明：: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

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VS-3C08ET07S2L-M3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-263AB（D2PAK）
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：340pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：45 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io)：8A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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