ZTX749A_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-226
數量：: 5733
說明：: 兩極晶體管 - BJT 35V PNP Transistor Low Saturation

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ZTX749A_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Bulk
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：1 W
直流電流增益 hFE 最大值：300
集電極連續電流：- 2 A
封裝形式：TO-226
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
最大直流電集電極電流：2 A
集電極—射極飽和電壓：- 35 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 35 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 45 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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