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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:0.35 ns
工廠包裝數量:4000
上升時間:0.5 ns
功率耗散:625 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:0.5 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):250 Ohms
漏極連續電流:10 mA
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:90 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
以上是ZVN1409ASTOA的詳細信息,包括ZVN1409ASTOA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!