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中文參數如下:
工廠包裝數量:4000
功率耗散:700 mW
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):10 Ohms
漏極連續電流:180 mA
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
以上是ZVNL120CSTOB的詳細信息,包括ZVNL120CSTOB廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!