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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:33 ns, 60 ns
工廠包裝數量:500
上升時間:8.7 ns, 9.5 ns
功率耗散:2.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8.5 ns, 38 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.025 Ohms
漏極連續電流:7.6 A, - 6.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
以上是ZXMC3A18DN8TA的詳細信息,包括ZXMC3A18DN8TA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!