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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時間:11.5 ns, 30 ns
上升時間:3.3 ns, 3 ns
功率耗散:1.35 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:9 nC, 12.7 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :11.8 S, 14 S
下降時間:6.3 ns, 21 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:H-Bridge
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):33 mOhms at 5 A, 10 V, 55 mOhms at - 4.1 A, - 10 V
漏極連續(xù)電流:4.98 A, - 4.13 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
以上是ZXMHC3F381N8TC的詳細(xì)信息,包括ZXMHC3F381N8TC廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!