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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 2.8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs26.9nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.8A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1055pF @ 50V
功率 - 最大2.17W
安裝類型表面貼裝
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