ZXTN2018FTA

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: SOT-23
數量：: 8874
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN 60V Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

ZXTN2018FTA PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：1560 mW
直流電流增益 hFE 最大值：100 at 10 mA at 1 V
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 40 at 5 A at 1 V, 15 at 10 A at 1 V
增益帶寬產品fT：130 MHz
最大直流電集電極電流：5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：140 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXTN2018FTA的詳細信息，包括ZXTN2018FTA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：