(2023/11/22 7:00:00)
VMOSFET內部結構及原理VMOSFET內部結構及原理MOS 器件在剛開始階段一直用于小功率電路，自從 VMOS 技術被移植到 MOS 功率器件后，使得半導體功率器件得到很大突破： MOSFET 雖然漏極電流可達到數安培，漏源電壓也可達到 IOOV 以上，但由于漏源導通電阻大、頻率特性差、硅片面...
(2023/11/21 18:00:00)
增強型MOS管結構及原理增強型MOS管結構及原理MOS管部分（ Metal oxide Semiconductor Field Effection Transistor ) MOS-FET 從本質上看來也屬于“多子”器件，但從控制機理上說來它又不同于 J-FET 。 MOS...
(2023/11/21 11:00:00)
LC電流諧振原理LC電流諧振原理電流諧振現象實際上是不可能得到的，因為電感線圈總是存在電阻的，于是電路就變成了混聯，諧振現象也就較為復雜。此電路參數發生諧振是有條件的，參數不合適可能不會發生諧振。在電路參數一定時，改變電源頻率是否能達到諧振，要由下列條件決定：當電路發生諧振時，電路相當于一個電阻：...
(2023/11/21 7:00:00)
電位計結構及工作原理電位計結構及工作原理電位計(potentiometer)或稱(電壓計)，也稱為“pots”或可變電阻器，通常被制造成不管使用多久均能維持原有的特性，若當位置傳感器使用，電位計可以是直線或旋轉式位置傳感器。電位計輸出一個電壓值，其正比于沿著可變電阻器之滑動器...
(2023/11/20 18:00:00)
數字電位器工作原理數字電位器工作原理I2C總線數字電位器是美國Xicor公司推出的X9×××系列數字電位器中較有代表性的一種。它是把幾個E2POT非易失性數字電位器集成在一起的單片CMOS微電路，具有二線串行I2C總線接口，易于軟件控制，可直接讀出、寫入滑動端位置...
(2023/11/20 11:00:00)
雪崩光電二極管(APD)結構及原理雪崩光電二極管(APD)結構及原理當耗盡區中的場強達到足夠大（~3*1O^5V/cm）時，光生載流子將被加速到很高的速度，在運動過程中與晶格中的原子碰撞時會使之電離，產生額外的電子空穴對。這些新生電子和空穴也被加速，發生新的碰撞和電離，產生更多的電子一空穴對。這個物...
(2023/11/20 7:00:00)
PIN-FET(PIN-TIA)光電組件電路及原理PIN-FET(PIN-TIA)光電組件電路及原理單個光電二極管作為接收器件使用常常很難實現高靈敏度，在要求高的場合經常將其與前端放大器集成在一個單片電路上并用金屬屏蔽體密封。在高阻抗設計中，由于場效應管FET輸入阻抗高，常被選為前端晶體管，與PIN...
(2023/11/19 18:00:00)
陶瓷濕度傳感器/金屬氧化物濕度傳感器構造及原理陶瓷濕度傳感器/金屬氧化物濕度傳感器構造及原理1. 陶瓷濕度傳感器構造與原理：陶瓷濕度傳感器又稱金屬氧化物濕度傳感器，因其感濕材料是由金屬氧化物粉末經加壓成型、燒結而成陶瓷物。因燒結程度可得很多孔狀物，而在多孔質表面上會吸附水蒸氣，以形成吸附層，而吸附層...
(2023/11/19 11:00:00)
大林PID控制算法原理大林PID控制算法原理早在1968年，美國IBM公司的大林就提出了一種不同于常規PID控制規律的新型算法，即大林算法。該算法的最大特點是將期望的閉環響應設計成一階慣性加純延遲，然后反過來得到能滿足這種閉環響應的控制器。對于如下圖所示的單回路控制系統，Gc(z)為數字控制器，Gp...
(2023/11/19 7:00:00)
圖解直流電動機原理圖解直流電動機原理 最早的直流電動機是在，1820 年由實驗階段發明出來的。作為直流電源．當時是只有電池的時代，因而功率很小。現在由于直流發電機和整流器的發展．用于電車、卷揚機、起重機和離速電梯等中的大功率電動機都創造出來了。直流電動機的結構原理與直流發電機相同。根據用途和功率的不...
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