| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數量 |
描述 |
PDF資料 |
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BSM300GAL120DLC |
Infineon Technologies |
62 mm |
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IGBT 模塊 1200V 300A CHOPPER |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 V... |
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BSM150GAL120DN2 |
Infineon Technologies |
Half Bridge GAL 2 |
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IGBT 模塊 1200V 150A CHOPPER |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... |
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BSM100GAL120DLCK |
Infineon Technologies |
34MM |
7 |
IGBT 模塊 1200V 100A CHOPPER |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 V... |
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BSM100GAL120DN2 |
Infineon Technologies |
Half Bridge GAL 2 |
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IGBT 模塊 1200V 100A CHOPPER |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... |
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BSM150GB120DLC |
Infineon Technologies |
62 mm |
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IGBT 模塊 1200V 150A DUAL |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCE... |
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BSM150GB120DN2 |
Infineon Technologies |
Half Bridge2 |
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IGBT 模塊 1200V 150A DUAL |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... |
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BSM150GB120DN2_E3166 |
Infineon Technologies |
62 mm |
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IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 210A |
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| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極... |
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BSM150GB120DN2F |
Infineon Technologies |
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IGBT 模塊 IGBT 1200V 150A |
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| 參數：制造商：Infineon，... |
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BSM150GB120DN2F_E3256 |
Infineon Technologies |
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IGBT 模塊 IGBT 1200V 150A |
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| 參數：制造商：Infineon，... |
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BSM150GB170DL |
Infineon Technologies |
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IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 300A |
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| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V，在25 C的連續集電極... |
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BSM150GB170DLC |
Infineon Technologies |
62 mm |
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IGBT 模塊 1700V 150A DUAL |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCE... |
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BSM150GB170DN2 |
Infineon Technologies |
62 mm |
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IGBT 模塊 1700V 150A DUAL |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCE... |
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BSM150GB170DN2_E3166 |
Infineon Technologies |
62 mm |
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IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 220A |
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| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V，在25 C的連續集電極... |
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BSM150GB170DN2_E3166c-Se |
Infineon Technologies |
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IGBT 模塊 IGBT 1700V 150A |
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| 參數：制造商：Infineon，... |
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BSM150GB60DLC |
Infineon Technologies |
34MM |
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IGBT 模塊 600V 150A DUAL |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCE... |
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BSM150GD60DLC |
Infineon Technologies |
模塊 |
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IGBT 模塊 600V 150A 3-PHASE |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO... |
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BSM150GT120DLC |
Infineon Technologies |
EconoPACK 3A |
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IGBT 模塊 1200V 150A TRIPACK |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO... |
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BSM150GT120DN2 |
Infineon Technologies |
EconoPACK 3A |
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IGBT 模塊 1200V 150A TRIPACK |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO... |
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BSM15GD120DLCE3224 |
Infineon Technologies |
EconoPACK 2A |
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IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 35A |
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| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：2... |
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BSM15GD120DN2 |
Infineon Technologies |
EconoPACK 2 |
11 |
IGBT 模塊 1200V 15A 3-PHASE |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO... |
