Infineon Technologies
|
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB029N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 900 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPB030N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 396 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPB031NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 534 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續... | ||||||
|
|
IPB033N03LG | Infineon Technologies | MOSFET POWER MOS | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，工廠包裝數量：1000，... | ||||||
|
IPB034N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | 443 | MOSFET N-CH 30V 80A 3.4mOhms | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB034N06L3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB034N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 200 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 60V 100A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB035N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 800 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB036N12N3 G | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：120 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連... | ||||||
|
|
IPB037N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 1263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB038N12N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 322 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：120 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連... | ||||||
|
|
IPB039N04L G | Infineon Technologies | TO-263 | 250 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 80A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB039N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263-7 | 291 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連... | ||||||
|
IPB039N10N3GE818XT | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
IPB03N03LA G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB03N03LBG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB041N04N G | Infineon Technologies | TO-263 | 847 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 80A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPB042N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 70A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB042N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 663 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB042N10N3GE818XT | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET OptiMOS Power Transistor | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極... | ||||||
48/305 首頁 上頁 [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] 下頁 尾頁
