Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI9942DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 3/2.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3... | ||||||
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SI9945AEY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.7A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3.7 A，電... | ||||||
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SI9945AEY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.7A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9945AEY-T1 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9945AEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9945AEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9948AEY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 2.6A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：2.6 A，電... | ||||||
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SI9948AEY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 2.6A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：2.6 A，電... | ||||||
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SI9948AEY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 2.6A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9948AEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 2.6A 2.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9948AEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 2.6A 2.4W 170mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI9953DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 2.3A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：2.3 A，電... | ||||||
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SI9956DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 3.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3.5 A，電... | ||||||
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SI9958DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 3.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：3... | ||||||
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SI8900EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 10-Micro Foot? CSP（2x5） | MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI8902EDB-T2 | Vishay/Siliconix | Micro Foot-6 | MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI8902EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（2.36x1.56） | MOSFET 20V 5.0A 1.7W 45mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI8904EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（2.36x1.56） | MOSFET 30V 4.9A 1.7W 45mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI8402DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 20V 6.8A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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