Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機(jī)磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI5975DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 12V 4.1A 2.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5975DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 12V 4.1A 2.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5980DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI5997DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET 30V 6A 10.4W 54mOhms @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SI5999EDU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 雙 | MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 6 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：... | ||||||
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SI5401DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 7.1A 2.5W 32mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5401DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 7.1A 2.5W 32mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI5402BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 30V 6.7A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5402BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5402DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 6.7A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5402DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 30V 6.7A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5402DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5402DC-T2 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5402DC-T3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI5403DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 30V 6.0A 6.3W 30mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SI5404BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | 1 | MOSFET 20 Volt 7.5 Amp 2.5W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5404BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引線 | MOSFET 20V 7.5A 2.5W 28mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5404DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 7.2A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5404DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 7.2A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI5406CDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 12V 6.0A 5.7W 20mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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