Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7149DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 41,368 | MOSFET 30V 50A 69W 5.2mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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SI7156DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 50A 83W 3.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7156DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 50A 83W 3.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7159DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 30A 83W 7.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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SI7160DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 20A 27.7W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI7160DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 20A 27.7W 8.7mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI7164DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 4,317 | MOSFET 60V 60A 104W 6.25mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7170DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 48W 3.4mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：28.5 A，電阻汲極/... | ||||||
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SI7172DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 25A 96W 70mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7174DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3,900 | MOSFET 75V 60A 104W 7.0mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7178DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 13,500 | MOSFET 100V 60A 104W 14mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7186DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 32A 64W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7186DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 32A 64W 12.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7190DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 250V 18.4A 96W 118mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7192DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7194DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 60A 83W 2.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7196DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 16A 41.6W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7196DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 16A 41.6W 1.1mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7212DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | 66 | MOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) FAST SWITCHING | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7212DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 30V 6.8A 2.6W 36mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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