Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7804DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 10A 0.0185Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7804DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 10A 3.5W 18.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7806ADN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 14A 0.011Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7806ADN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7806DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 30V 14.4A 3.8W 11mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7810DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 2,480 | MOSFET 100V 5.4A 3.8W 62mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7810DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 100V 5.4A 3.8W 62mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7812DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 6,356 | MOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7812DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 40,767 | MOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7818DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 6,645 | MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7818DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 5,990 | MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7820DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 200V 2.6A 3.8W 240mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7820DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 200V 2.6A 3.8W 240mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7840BDP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 14A 4.1W 8.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7840BDP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 16.5A 4.1W 8.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7840DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 18A 5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7840DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 18A 5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7842DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 10A 3.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7842DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 30V 10A 3.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7842DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET N-Ch w/ 1A Schottky 30V 22mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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