Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SQD50N05-11L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 50V 50A 75W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SQD50N06-07L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：50 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQD50N06-09L-GE3 | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD50P04-09L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 40V 50A 136W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SQD50P04-13L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 40V 50A 83W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SQD50P06-15L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 50A 136W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：- 50 A，電阻汲... | ||||||
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SQR40N10-25-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 100V 40A 136W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQR50N03-06P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 30V 50A 83W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQR50N06-07L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：50 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQS400EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 40V 16A 62.5W N-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：16 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQS401EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch Automotive | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：- 16 A，電阻汲... | ||||||
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SQS460EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 60V 8A 39W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SQS462EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1212-8 | MOSFET 60V 8A 33W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續電流：8 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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SQM60N06-15-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 60V 60A 100W 15mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SD214DE-2 | Vishay/Siliconix | TO-206AF | MOSFET 30V 50mA 0.3W 45ohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 40 V... | ||||||
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SI6404DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 11A 1.75W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6404DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | MOSFET 30V 11A 1.75W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6404DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | MOSFET 30V 11A 1.75W 9.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6410DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 7.8A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6410DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 7.8A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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