Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4834BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.5A 1.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4834BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 7.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4834BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 7.5A 2.0W 22mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4834CDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4834CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：7.5 A，電... | ||||||
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SI4834DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4834DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：7.5 A，電... | ||||||
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SI4834DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：7.5 A，電... | ||||||
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SI4834DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7.5A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4736DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 13A 1.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4736DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 13A 3.1W 9.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4730EY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 11.7A 3.6W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：11.7 A，... | ||||||
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SI4730EY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 11.7A 3.6W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：11.7 A，... | ||||||
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SI4730EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 11.7A 3.6W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4913DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4913DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 9.4A 2.0W 15mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4914BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.4/8.0A 2.1/3.1 | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SI4914BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.4A/8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：6.7 A, 7.4 ... | ||||||
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SI4914DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) W/SCHOTTKY | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SI4916DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30 Volt 6.6/8.9 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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