Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和汽車(chē)系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開(kāi)關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開(kāi)關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4974DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI4980DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4980DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：3.7 A，電... | ||||||
|
|
SI4980DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：3.7 A，電... | ||||||
|
SI4980DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4980DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2.0W 75mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4982DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：2.6 A，... | ||||||
|
|
SI4982DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SI4982DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：2.6 A，... | ||||||
|
|
SI4982DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SI4982DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SI4992EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 75V (D-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4992EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 75V 4.8A 2.4W 48mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI3831DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 7.0V 2.4A 1.5W 170mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：SI3831DV-GE3，... | ||||||
|
|
SI3850ADV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.4/0.96A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
|
|
SI3850ADV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.4/0.96A 1.08W 300/410mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
|
|
SI3850DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 1.2/0.85A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)... | ||||||
|
|
SI3851DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3851DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI3851DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
73/219 首頁(yè) 上頁(yè) [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] 下頁(yè) 尾頁(yè)
