Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4427BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4427BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 12.6A 2.5W 12.5mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4427DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：9.4 A，電... | ||||||
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SI4427DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4427DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：9.4 A，電... | ||||||
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SI4427DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13.3A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4429EDY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：13 A，電阻... | ||||||
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SI4429EDY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13A 3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：13 A，電阻... | ||||||
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SI4429EDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 13 Amp 3.0W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4304DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 36A 7.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4304DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 36A 7.8W 3.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI4310BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 14-SOIC | MOSFET 30V 10/14A 1.14/1.47 | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4276DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30 Volts 8 Amps 2.8 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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Si4286DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SI4288DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40 Volts 9.2 Amps 3.1 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SI4300DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：6.4 A，電... | ||||||
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SI4300DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：6.4 A，電... | ||||||
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SI4300DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30 Volt 9.0 Amp 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4320DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 25A 1.6W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4320DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 25A 3.5W 3.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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