| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IPB080N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | 930 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 50A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB080N06N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3-2 | 14 | MOSFET N-CH 60V 80A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB081N06L3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 290 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB083N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 685 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPB085N06L G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB08CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPB08CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 95A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB090N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 982 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB091N06NG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB093N04L G | Infineon Technologies | TO-263 | 840 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 50A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB096N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | 989 | MOSFET N-CH 30V 35A 9.5mOhms | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB097N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB09N03LAG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB100N04S204 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IPB100N04S2-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB100N04S2L03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IPB100N04S2L-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB100N04S303 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IPB100N04S3-03 | Infineon Technologies | TO-263 | 979 | MOSFET N-CH 40 V 100A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB100N04S4-H2 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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