| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IPD180N10N3G | Infineon Technologies | TO-252 | 473 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPD200N15N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 1568 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 50A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPD20N03LG | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD220N06L3 G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD22N08S2L50 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：22 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD22N08S2L-50 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 75V 25A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD230N06L G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD230N06N G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD250N06N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 1742 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD25CN10N G | Infineon Technologies | TO-252 | 1828 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 35A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPD25CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 35A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD25N06S240 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：25 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD25N06S2-40 | Infineon Technologies | TO-252 | 12224 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 29A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD25N06S4L-30 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | 2500 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極連續(xù)電流：25 A，... | ||||||
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IPD26N06S2L35 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：26 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD26N06S2L-35 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N03S2L07 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD30N03S2L-07 | Infineon Technologies | TO-252 | 75 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 6.7mOhm | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N03S2L10 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 10mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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