IPD200N15N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 4889
說(shuō)明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 50A

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IPD200N15N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPD200N15N3GBTMA1 IPD200N15N3GXT SP000386665
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：23 ns
工廠包裝數(shù)量：1
上升時(shí)間：11 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Infineon

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