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中文參數如下:
工廠包裝數量:2000
包裝形式:Bulk
最大功率耗散:0.5 W
封裝形式:TO-18
安裝風格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:30 at 10 mA at 1 V
增益帶寬產品fT:40 MHz
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V
集電極—基極電壓 VCBO:40 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:過渡期間
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是2N914的詳細信息,包括2N914廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!