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2SK3561(Q,M)

廠家：
  Toshiba
封裝：
 TO-220 NIS
數量：
 8910  
說明：
 MOSFET MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm
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2SK3561(Q,M)-TO-220 NIS圖片

2SK3561(Q,M) PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：50
上升時間：26 ns
功率耗散：40 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：38 ns
封裝形式：TO-220 NIS
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.85 Ohms
漏極連續電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK3561(Q,M)的詳細信息，包括2SK3561(Q,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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