AGR09130EF

廠家：: TriQuint Semiconductor
封裝：: 9130EF
數(shù)量：: 6480
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

AGR09130EF PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

產(chǎn)品類型：RF MOSFET Power
功率耗散：350 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
封裝形式：9130EF
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：15 V
漏極連續(xù)電流：15 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：150 W
增益：18 dB
頻率：921 MHz to 960 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：TriQuint

以上是AGR09130EF的詳細信息，包括AGR09130EF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號晶體管

最新產(chǎn)品：

DSPIC33CK128MC102-I/M6

STFU25N60M2-EP

IS46TR16512S2DL-125KBLA1