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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:TO-247-3
安裝類(lèi)型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
測(cè)試條件:400V,20A,10 歐姆,15V
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:16ns/122ns
柵極電荷:102 nC
輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量:307μJ(開(kāi)),254μJ(關(guān))
功率 - 最大值:290 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):109 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):65 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V
IGBT 類(lèi)型:PT
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:POWER MOS 8?
系列:管件
品牌:Microchip Technology
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