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中文參數如下:
FET 型2 個 N 溝道(雙)
FET 特點標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C210 毫歐 @ 21.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs372nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C43A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 10400pF @ 25V
功率 - 最大780W
安裝類型底座安裝
以上是APTM100DU18TG的詳細信息,包括APTM100DU18TG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!